전기및전자공학부 김상현교수 연구실 국송현 박사과정생이 2023 International Memory Workshop (IMW)에서 Best Student Paper를 수상했다.
IMW는 반도체 메모리기술에 관한 기술개발을 다루는 국제학회로 30%내외의 채택률 (올해 29%)을 보이는 경쟁력 있는 학회로
올해는 미국 Monterey에서 개최되었다.
국송현 학생의 논문은 기존의 강유전 전계효과트랜지스터의 성능 저하를 줄이기 위해 P-Channel을 이용한다는 발상을 제시하였다.
이를 통해 P-Channel 강유전 전계효과트랜지스터가 우수한 성능의 차세대 NAND 플래시메모리 후보가 될 수 있음을 제안하였고,
이 가치를 인정받아 IMW에서 Best student paper award를 수상하였다.
또한, 국송현 학생은 지난주에 열린 VLSI symposium on Technology and Circuits에서도 차세대 반도체 공정을 이용한 강유전 전계효과트랜지스터 구조 설계 방법에 관한 논문을 발표하였다.
– 학 회 명: 2023 International Memory Workshop (IMW)
– 개최기간: 5월 21-24일 (Monterey, CA, US)
– 수 상 명: Best student paper award
– 저 자 : 국송현, 한재훈, 김봉호, 김준표, 김상현 (지도교수)
– 논 문 명: Proposal of P-Channel FE NAND with High Drain Current and Feasible Disturbance for Next Generation 3D NAND
