양경훈

Yang, Kyounghoon

연구디비젼

Device

division

주요 연구분야

Integrated Circuits & Semiconductor Systems, Quantum Science & Engineering, Semiconductor Devices & Nanotechnology, Photonics, RF/mmWave Devices & Systems

주요 연구

Nano-scale/Tera-Hz Devices and MMICs, Optoelectronic ICs.

소속연구실

High Speed Nanoelectronics Lab.

위치

전기및전자공학부동 (E3-2)

동 1223-1 호

연락처

3471

이메일

khyang@kaist.ac.kr

웹사이트

http://hsnl.kaist.ac.kr

학위

Ph.D. (1994) Univ.of Michigan

대표업적

“A 1.52 THz RTD Triple-push Oscillator With a μW-level Output Power,” IEEE Transactions On Terahertz Science and Technology, Vol. 6, No. 2, pp. 336-340, Mar. 2016.
“Optically Controlled Low-Power On-Off Mode Resonant Tunneling Oscillator with a Heterojunction Phototransistor Switch,” Optics Letters, Mar. 2015.
“Reflection-Type RTD Low-Power Amplifier with Deep Sub-mW DC Power Consumption,” IEEE Microwave Wireless Component Letter, vol. 24, no. 8, Aug. 2014.
“40 Gb/s Low-power 4:1 Multiplexer Based on Resonant Tunneling Diodes,” IEEE Transactions On Nanotechnology, Vol,11, No.5, pp.890-895, Sept, 2012.

구성원

교수

양경훈

연구디비젼

Device

division

주요 연구분야

Integrated Circuits & Semiconductor Systems, Quantum Science & Engineering, Semiconductor Devices & Nanotechnology, Photonics, RF/mmWave Devices & Systems

주요 연구

Nano-scale/Tera-Hz Devices and MMICs, Optoelectronic ICs.

소속연구실

High Speed Nanoelectronics Lab.

위치

전기및전자공학부동 (E3-2)

동 1223-1 호

연락처

3471

이메일

khyang@kaist.ac.kr

웹사이트

http://hsnl.kaist.ac.kr

학부 소개

연구

EE-X

AI in EE

구성원

교육

입학

소식

대외협력

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연구

EE-X

AI in EE

구성원

교육

대외협력

입학

소식